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离子注入原理是：将被掺杂的杂质原子或分子进行离子化，通过电场加速形成离子束，然后直接注入到固体材料（如半导体晶圆）内部。具体来说：离子化过程：杂质原子或分子在特定条件下被离子化，形成带有电荷的离子.加速与注入：这些离子在电场的作用下被加速，形成具有一定能量和电流密度的离子束。然后，这束离子被直接打入固体材料的内部。碰撞与停留：离子进入固体材料后，会与材料中的原子或分子发生碰撞，逐渐损失能量。当离子的能量耗尽时，它会停留在材料中的某个位置，形成掺杂。材料性能改变：通过控制离子的种类、能量和注入剂量，可以精确地控制杂质在材料中的分布和浓度，从而改变材料的表面成分、结构和性能，获得所需的电学或其他特性。离子注入技术因其高精度、可控性和相对较低的工艺温度，在现代半导体制造中得到了广泛应用，成为掺杂半导体材料的关键工艺之一。
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