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薄膜铌酸锂调制器制备工艺基于绝缘体上铌酸锂晶圆的薄膜铌酸锂调制器比传统晶体铌酸锂调制器在许多方面更具优势，其制备工艺如下。首先，利用紫外曝光等技术将调制器图案转移到掩膜材料上，经过显影等技术，获得铌酸锂薄膜调制器光学结构的刻蚀掩膜。接着，利用刻蚀技术，将调制器光学结构转移到铌酸锂薄膜材料上。完成刻蚀后，去除残余掩膜材料。接着，在晶圆表面沉积一层二氧化硅薄膜。然后，利用刻蚀技术去除大部分二氧化硅薄膜材料，留下后续沉积电极区域的二氧化硅薄膜。利用沉积剥离技术，将射频电极和偏置电极制备在器件表面。最后，为了实现阻抗匹配等因素，会在器件表面沉积一层二氧化硅。
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